| 型号： | IXDN602SI | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | IXYS Integrated Circuits Division | 描述： | MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| IXDN602SI PDF |  |
| 标准包装 | 100 |
| 系列 | - |
| 配置 | 低端 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 延迟时间 | 35ns |
| 电流 - 峰 | 2A |
| 配置数 | 2 |
| 输出数 | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动） | - |
| 电源电压 | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC-EP |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | CLA352 IXDN602SI-ND |